НТ02262888
|
М9-160-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262890
|
М9-200-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262891
|
М9-200-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262892
|
М9-200-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262893
|
М9-200-2,5 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262894
|
М9-200-12 Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262895
|
М9-200-12-01 Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262896
|
М9-200-12-Ан Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262897
|
М9-220-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262899
|
М9-240-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262900
|
М9-240-2,5 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262901
|
М9-250-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262903
|
М9-300-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262904
|
М9-300-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262905
|
М9-300-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262906
|
М9-300-2,5 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262907
|
М9-300-12 Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262908
|
М9-300-12-01 Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262909
|
М9-300-12-Ан Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262910
|
М9-320-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262911
|
М9-360-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262913
|
М9-400-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262914
|
М9-400-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262915
|
М9-400-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262916
|
М9-400-12 Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262917
|
М9-400-12-Ан Модуль одиночного IGBT-транзисторного ключа
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262918
|
М9-450-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262919
|
М9-500-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262921
|
М10-30-12-М3 Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262923
|
М10-50-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
3 999,60 ₽
|
НТ02262924
|
М10-50-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262925
|
М10-50-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262926
|
М10-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262927
|
М10-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262928
|
М10-50-12-М3 Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262930
|
М10-100-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
4 299,60 ₽
|
НТ02262931
|
М10-100-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262932
|
М10-100-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262933
|
М10-100-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262934
|
М10-100-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262936
|
М10-150-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262937
|
М10-150-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262938
|
М10-150-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262939
|
М10-150-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262940
|
М10-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
7 400,40 ₽
|
НТ02262941
|
М10-150-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262942
|
М10-150-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262944
|
М10-200-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262945
|
М10-200-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262946
|
М10-200-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262947
|
М10-200-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262948
|
М10-200-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262951
|
М10-300-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262952
|
М10-300-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262954
|
М11-30-12-М3 Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262956
|
М11-50-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262957
|
М11-50-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262958
|
М11-50-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262959
|
М11-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262960
|
М11-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262961
|
М11-50-12-М3 Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262963
|
М11-100-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262964
|
М11-100-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262965
|
М11-100-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262966
|
М11-100-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262967
|
М11-100-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262969
|
М11-150-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262970
|
М11-150-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262971
|
М11-150-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262972
|
М11-150-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262973
|
М11-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
8 799,60 ₽
|
НТ02262974
|
М11-150-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262975
|
М11-150-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262977
|
М11-200-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262978
|
М11-200-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262979
|
М11-200-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262980
|
М11-200-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
15 999,60 ₽
|
НТ02262981
|
М11-200-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262984
|
М11-300-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262985
|
М11-300-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262989
|
М12.1-50-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262990
|
М12.1-50-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262992
|
М12.1-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262993
|
М12.1-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262994
|
М12.1-75-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262996
|
М12.1-100-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262997
|
М12.1-100-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262998
|
М12.1-100-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02262999
|
М12.1-100-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263000
|
М12.1-100-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263002
|
М12.1-120-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263003
|
М12.1-120-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263004
|
М12.1-120-2,5 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263006
|
М12.1-150-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263007
|
М12.1-150-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263008
|
М12.1-150-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263009
|
М12.1-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
9 800,40 ₽
|
НТ02263011
|
М12.1-160-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263012
|
М12.1-160-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263014
|
М12.1-200-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|