НТ02263015
|
М12.1-200-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263016
|
М12.1-200-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263017
|
М12.1-200-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263018
|
М12.1-200-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263019
|
М12.1-200-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263020
|
М12.1-220-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263021
|
М12.1-250-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263023
|
М12.1-300-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263024
|
М12.1-300-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263025
|
М12.1-300-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263026
|
М12.1-400-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263027
|
М12.1-500-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263029
|
М12-50-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
3 600,00 ₽
|
НТ02263030
|
М12-50-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263031
|
М12-50-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263032
|
М12-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263033
|
М12-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263034
|
М12-75-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263036
|
М12-100-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263037
|
М12-100-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
4 800,00 ₽
|
НТ02263038
|
М12-100-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263039
|
М12-100-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263040
|
М12-100-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263041
|
М12-100-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263043
|
М12-120-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263044
|
М12-120-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263045
|
М12-120-2,5 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263047
|
М12-150-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263048
|
М12-150-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263049
|
М12-150-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263050
|
М12-150-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
7 200,00 ₽
|
НТ02263051
|
М12-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
9 800,40 ₽
|
НТ02263052
|
М12-150-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263053
|
М12-150-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263055
|
М12-160-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263056
|
М12-160-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263058
|
М12-200-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263059
|
М12-200-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263060
|
М12-200-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263061
|
М12-200-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263062
|
М12-200-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263063
|
М12-200-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263064
|
М12-200-12-Е3-Ан Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263065
|
М12-200-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263066
|
М12-220-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263067
|
М12-250-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263069
|
М12-300-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263070
|
М12-300-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263071
|
М12-300-2-М1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263072
|
М12-300-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263073
|
М12-300-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263074
|
М12-370-1-М1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
11 100,00 ₽
|
НТ02263075
|
М12-400-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263076
|
М12-500-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263077
|
М12-М1-Ан Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263081
|
М13А1-1-6-ПП4 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор, выполненный на IGBT-транзисторах
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263082
|
М13А1-2-6-ПП4 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор, выполненный на IGBT-транзисторах
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263084
|
М13А1-10-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263085
|
М13А1-10-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263086
|
М13А1-10-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263087
|
М13А1-10-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263088
|
М13А1-25-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263090
|
М13А1-30-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263091
|
М13А1-30-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263092
|
М13А1-30-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263093
|
М13А1-30-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263095
|
М13А1-50-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263096
|
М13А1-50-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263097
|
М13А1-50-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263098
|
М13А1-50-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263099
|
М13А1-50-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
10 400,40 ₽
|
НТ02263101
|
М13А1-90-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263102
|
М13А1-90-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263105
|
М13А4-10-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263106
|
М13А4-10-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263107
|
М13А4-10-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263108
|
М13А4-10-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263109
|
М13А4-25-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263111
|
М13А4-30-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263112
|
М13А4-30-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263113
|
М13А4-30-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263114
|
М13А4-30-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263116
|
М13А4-50-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263117
|
М13А4-50-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263118
|
М13А4-50-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263119
|
М13А4-50-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263120
|
М13А4-50-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
11 700,00 ₽
|
НТ02263122
|
М13А4-90-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263123
|
М13А4-90-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263128
|
М13Б1-50-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263129
|
М13Б1-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263130
|
М13Б1-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263131
|
М13Б1-100-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263132
|
М13Б1-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов
|
290
|
|
6 999,60 ₽
|
НТ02263134
|
М13Б-10-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263135
|
М13Б-10-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263136
|
М13Б-10-6 Модуль транзисторный – транзисторный мост на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263137
|
М13Б-10-12 Модуль транзисторный – транзисторный мост на основе IGBT транзистора
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263138
|
М13Б-25-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ
|
290
|
|
под заказ
|
НТ02263140
|
М13Б-30-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора
|
290
|
|
под заказ
|