Напишите ваше сообщение
Операторы онлайн!
  • 029 - Громова Марина
    Здравствуйте! Я могу вам чем-то помочь?
Оператор набирает сообщение
горячая линия ЭЛЕКТРУМ АВ 029 - Громова Марина

Здравствуйте! Какая продукция Вас интересует?

Выберите канал общения:

Доставка по России и в другие страны

Прайс-лист ЭЛЕКТРУМ АВ

Артикул Наименование Цена
НТ02263015 М12.1-200-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263016 М12.1-200-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263017 М12.1-200-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263018 М12.1-200-12-01 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263019 М12.1-200-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263020 М12.1-220-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263021 М12.1-250-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263023 М12.1-300-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263024 М12.1-300-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263025 М12.1-300-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263026 М12.1-400-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263027 М12.1-500-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263029 М12-50-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод 3 600,00 ₽
НТ02263030 М12-50-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263031 М12-50-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ под заказ
НТ02263032 М12-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263033 М12-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263034 М12-75-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263036 М12-100-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263037 М12-100-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод 4 800,00 ₽
НТ02263038 М12-100-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263039 М12-100-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ под заказ
НТ02263040 М12-100-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263041 М12-100-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263043 М12-120-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263044 М12-120-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263045 М12-120-2,5 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263047 М12-150-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263048 М12-150-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263049 М12-150-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263050 М12-150-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов 7 200,00 ₽
НТ02263051 М12-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов 9 800,40 ₽
НТ02263052 М12-150-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263053 М12-150-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263055 М12-160-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263056 М12-160-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263058 М12-200-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263059 М12-200-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263060 М12-200-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263061 М12-200-12 Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263062 М12-200-12-Ан Модуль транзисторный – последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод под заказ
НТ02263063 М12-200-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов под заказ
НТ02263064 М12-200-12-Е3-Ан Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов под заказ
НТ02263065 М12-200-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263066 М12-220-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263067 М12-250-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263069 М12-300-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263070 М12-300-0,6 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263071 М12-300-2-М1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263072 М12-300-12-Е3 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «Е3» представляет собой сборку IGBT-транзисторов под заказ
НТ02263073 М12-300-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263074 М12-370-1-М1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора 11 100,00 ₽
НТ02263075 М12-400-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263076 М12-500-0,4 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора с общим истоком под заказ
НТ02263077 М12-М1-Ан Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263081 М13А1-1-6-ПП4 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор, выполненный на IGBT-транзисторах под заказ
НТ02263082 М13А1-2-6-ПП4 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор, выполненный на IGBT-транзисторах под заказ
НТ02263084 М13А1-10-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263085 М13А1-10-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263086 М13А1-10-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263087 М13А1-10-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263088 М13А1-25-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ под заказ
НТ02263090 М13А1-30-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263091 М13А1-30-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263092 М13А1-30-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263093 М13А1-30-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263095 М13А1-50-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263096 М13А1-50-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263097 М13А1-50-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263098 М13А1-50-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263099 М13А1-50-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов 10 400,40 ₽
НТ02263101 М13А1-90-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263102 М13А1-90-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263105 М13А4-10-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263106 М13А4-10-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263107 М13А4-10-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263108 М13А4-10-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263109 М13А4-25-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ под заказ
НТ02263111 М13А4-30-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263112 М13А4-30-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263113 М13А4-30-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263114 М13А4-30-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263116 М13А4-50-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263117 М13А4-50-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263118 М13А4-50-6 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263119 М13А4-50-12 Модуль транзисторный – трехфазный инвертор на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263120 М13А4-50-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов 11 700,00 ₽
НТ02263122 М13А4-90-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263123 М13А4-90-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263128 М13Б1-50-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263129 М13Б1-50-12-М2 Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263130 М13Б1-50-12-М2-Ан Модуль транзисторный - последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263131 М13Б1-100-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов под заказ
НТ02263132 М13Б1-150-12-М1 Модуль транзисторный в конструктивном исполнении «М1» представляет собой сборку IGBT-транзисторов и FRD диодов 6 999,60 ₽
НТ02263134 М13Б-10-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263135 М13Б-10-2 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ
НТ02263136 М13Б-10-6 Модуль транзисторный – транзисторный мост на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263137 М13Б-10-12 Модуль транзисторный – транзисторный мост на основе IGBT транзистора под заказ
НТ02263138 М13Б-25-12-М Модуль транзисторныый IGBT в конструктивном исполнении МККТ под заказ
НТ02263140 М13Б-30-1 Модуль транзисторный на основе MOSFET транзистора под заказ

О компании ЭЛЕКТРУМ АВ

Правовая информация
ЭЛЕКТРУМ АВ (г. Орел) - предприятие, специализирующееся на разработке и выпуске полупроводниковых приборов силовой электроники модульного исполнения, устройств управления ими и интегрированных систем силовой электроники для применения в системах промышленного и военного назначения.
  • ОПЫТ

    Специалистами компании приобретен большой опыт в разработке и технологиях производства, как схем управления силовой электроники, так и силовых модулей.
  • РАЗРАБОТКА И ПРОИЗВОДСТВО

    Компания разрабатывает и производит силовые модули, модули со встроенным управлением, модули ограничения тока, силовые блоки и схемы управления.
  • КАЧЕСТВО

    Компания ЭЛЕКТРУМ АВ присутствует на российском рынке уже более десяти лет, за это время предприятие заработало большое количество постоянных клиентов.

Все товары ЭЛЕКТРУМ АВ

Группа «Новые Технологии» предлагает к ознакомлению продукцию завода ЭЛЕКТРУМ АВ: специализированные схемы управления, силовые диодные, тиристорные и транзисторные модули, силовые блоки и др.
  • Силовые модули без управления ЭЛЕКТРУМ АВ
    Силовые модули без управления
    М1, М5, М8, М12 и др.
  • Силовые модули с управлением ЭЛЕКТРУМ АВ
    Силовые модули с управлением
    МТ1, МТ14А, МО15ДБ и др.
  • Управление и питание ЭЛЕКТРУМ АВ
    Управление и питание
    МД180П-Б, ДР1300П-БВ и др.
  • Изделия спец. назначения ЭЛЕКТРУМ АВ
    Изделия спец. назначения
    5М9, 5М12, 5ДР1160 и др.
  • Блоки регуляторов мощности ЭЛЕКТРУМ АВ
    Блоки регуляторов мощности
    ТРМ1-01, TPM1, TPM3 и др
  • Дополнительное оборудование ЭЛЕКТРУМ АВ
    Дополнительное оборудование
    ОХЛ-153, ЭЗ1-ЭЗ5 и др.

ГК НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

По вопросам продаж и поддержки обращайтесь г.
Задайте вопрос прямо сейчас: