无控制电源模块 E'LEKTRUM AV M1，M5，M8，M12等

基于晶闸管和整流二极管的模块 是二极管，晶闸管和晶闸管-二极管组件，包括反向并联晶闸管，基于晶闸管和/或二极管的单相和三相整流桥，峰值电压高达1600V，负载电流高达250A。

模型: M1，M1.1，M1.2，M2，M3，M4，M4.1，M4.2，M4.3，M5，M5M等

• 晶闸管、二极管和二极管-晶闸管组件。 护照。
• 整流桥。 护照。
• 反并联晶闸管。 护照。

基于BVD和肖特基二极管的模块 肖特基二极管模块设计用于在负载电流高达400A的低压电路（高达200V）中工作。

模型: M4BVD,M4.1bvd,M5BVD,M6BVD,M4SH,M4.1SH,M5SH,M6SH等

• 基于BVD的组件。 护照。
• 基于肖特基二极管的组件。 护照。

基于MOSFET晶体管的模块 这些模块由单键、半桥、上下键、峰值电压范围为60、100、200、250、400v的逆变器组件表示。

模型: M9，M12，M12.1，M13A，M13B，M13B，M13A-PP4等

• 模块在结构版本E2，DM。 护照。
• MKKT设计中的模块。 护照。
• PP4设计中的模块。 护照。
• M1设计中的模块。 护照。

基于IGBT晶体管的模块 这些模块由半桥、上键和下键、反连接晶体管、H桥和三相逆变器组成。 这些模块可以在负载电流高达400A的转换器中工作。

模型: M9，M9-01，M10，M10-01，M11，M11-01，M13A，M13B，M13B，M13MA等。

• E2构造中的模块，DM。 护照。
• MKKT结构中的模块。 护照。
• PP4结构中的模块。 护照。
• E2结构中的模块。 护照。
• E3结构中的模块。 护照。
• M1结构中的模块。 护照。
• M2结构中的模块。 护照。

目录